标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
虽然晶体管没有夹断，但栅极电位确实调制了漏极电流（高达1.8倍，栅极为-10V，图2）。根据模拟，夹断发生在-112V左右。将其放在一位数范围内需要缩小...
华南师范大学和北京大学在（100）硅上开发了基于氮化镓（GaN）微丝阵列的紫外（UV）金属 - 半导体 - 金属（MSM）探测器。
与传统的金属氧化物（LDMOS）半导体相比，硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%，每个单位面积的功率提升了4~6倍数，从而降低整体...
输入电压兼容TTL电平，并且最大输入电压可以高达14V，而不考虑VDD轨电压。同时，在高侧/低侧的应用中，低传播延迟和轨到轨的时钟倾斜对效率也是至关重要...
移动通信标准5G开发基于氮化镓（GaN）的经济高效的高性能技术
基站是蜂窝网络的连接点。它们记录无线电小区的传输数据并将其传递。为了确保未来毫米波频段内的数据泛滥，基站技术需要满足两个标准：输出功率需要提高，同时保持...
氮化镓技术研究新进展，如何作为“电力电子应用中敏感探针”使用？
美国康奈尔大学，IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地将埋入式p型GaN层活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...
随着碳化硅、氮化镓等高开关频率器件的逐渐引入，工程师在调试过程中的测试需求越来越高，此时的高频信号经?；岬贾率褂貌煌囊瞧鞑馐越峁疾灰谎榭?，到底是哪...
欧盟制定了一个雄心勃勃的目标，即到2050年将其总体温室气体排放量降低至少80％。要实现该目标，汽车行业的贡献将非常重要。美国企业平均燃油经济性（CAF...
中国首家商用氮化镓（GaN）电子器件生产企业苏州能讯高能半导体有限公司 （Dynax Semiconductor， Inc.），发布适合5G移动通信的宽...
潘大伟表示，作为英飞凌四大业务之一的电源管理及多元化市?。虺芇MM）是公司第二大的营收来源，这部分2017年的营收了公司当年总收入31%，仅次于汽车电...
随着市场对高功率高电压材料的需求增长，全球第三代半导体材料开始备受关注。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和...
《兵器知识》就中国军用雷达发展史、相控阵雷达的先进性、空警 500 等国产雷达的发展，专访了毛二可院士。
与硅或者其他三五价器件相比，氮化镓速度更快。GaN可以实现更高的功率密度。对于既定功率水平，GaN具有体积小的优势。有了更小的器件，就可以减小器件电容，...
“完美电源开关”的飘然而至,进行了超过2000万小时的设备可靠性测试
此外，2017年是电力电子行业振奋人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1，它规范了GaN的可靠性和质量认证流程、数据资料表、参数以及...
在半导体层面上，硅基氮化镓的主流商业化开启了提高射频功率密度、节省空间和提高能效的大门，其批量生产水平的成本结构非常低，与LDMOS相当，远低于碳化硅基氮化镓。
Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 与 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一阶...
德州仪器新型即用型600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级产品组合可支持高达10kW的应用
德州仪器的GaN FET器件系列产品通过集成独特的功能和?；ぬ匦?，来实现简化设计，达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能，为传统级联和独立的GaN F...
“现在正处于从LDMOS转到氮化镓的时间窗口，但只有三年?！蹦苎栋氲继遄芫砣蚊惚硎?，在氮化镓领域耕耘十二年，能讯半导体迎来关键时间节点，抓住5G基站建...
近日科技部高新司在北京组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的碳...
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