张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,??戳此立抢??

赌博默示录1高清:工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

2018-06-21 15:43 ? 次阅读

揭秘微信赌博群 www.b03i.com.cn 前言

包括光伏逆变器、电气驱动装置、UPS及HVDC在内的功率转换系统,需要栅极驱动器、微控制器、显示器、传感器及风扇来使系统正常运行。这类产品需要能够提供12V或24V低电压电源的辅助电源。辅助电源则需要输入通常工业设备所使用的三相400/480V AC电源、或太阳能光伏逆变器所使用的高电压DC电源才能工作。本文将介绍融入了ROHM的SiC技术优势且设计简单、性价比高的电源解决方案。

小型辅助电源用SiC Mosfet

图1是辅助电源所用的普通电路。在某些输入电压条件下,MOSFET的最高耐压需要达到1300V。为了确保安全,需要一定的电压余量,因此一般来讲至少需要使用额定电压1500V的产品。当然也可以使用具有同样绝缘击穿电压的Si MOSFET,但损耗将变大,故而需要昂贵且厚重的散热器。

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

图1. 普通反激式转换器方式的辅助电源拓扑

另外还有使用更复杂的拓扑结构(双端反激式转换器方式、低电压器件串联等)而不使用1500V MOSFET的做法。但是,这些做法不仅会增加设计难度,还会使部件数量增加。

如果使用特定导通电阻仅为1500V Si-MOSFET的1/2(参见图2)的1700V SiC-MOSFET,则辅助电源的设计者们将能够使用简单的单端反激式转换器的拓扑,从而获得小巧的身材和良好的性能。ROHM拥有完全塑封的TO-3PFM封装以及表面贴装型封装(TO-268-2L)技术,并提供适用于此类应用的高耐压SiC-MOSFET。这些产品的特点是分别可确保5mm和5.45m的爬电距离。

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

图2. 特定导通电阻条件下的Si和SiC MOSFET性能比较

极具性价比且实现SiC单端反激式拓扑结构的控制IC

采用了SiC-MOSFET的反激式转换器的辅助电源解决方案,因采用了ROHM的控制IC而更具魅力和吸引力。这种控制IC的设计利用反激式转换器安全可靠地驱动SiC-MOSFET,而且不会因栅极驱动器IC而变得复杂。

ROHM针对目前可入手的几款SiC-MOSFET,开发出特别满足各元器件栅极驱动所需条件的准谐振AC/DC转换器控制IC“BD768xFJ”并已实施量产。这款控制IC与ROHM的1700V耐压SiC-MOSFET相结合,可以最大限度地发挥产品的效率与性能。BD768xFJ不仅可控制所有的反激式电路,还能够以适当的栅极电压驱动SiC-MOSFET,从而保证最佳性能。此外,还可通过栅极箝位功能和过载?;すδ芾幢;iC-MOSFET。

BD768xFJ这款控制IC,采用小型SOP8-J8封装,具备电流检测用的外置分流电阻和过负载、输入欠压、输出过电压?;さ缺;すδ芤约叭砥舳裙δ?。搭载了准谐振开关,以在全部工作范围内将EMI抑制在最低水平,并降低开关损耗。另外,为了优化在低负载范围的工作,控制器还安装了突发模式工作和降频功能。

下图中是采用了BD768xFJ控制IC和ROHM生产的1700V耐压SiC-MOSFET的辅助电源的主要电路,简单而又高性能。

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

图3. 使用了BD768xFJ控制IC和1700V耐压SiC-MOSFET的辅助电源电路

使用了SiC-MOSFET的辅助电源的性能

ROHM为了便于对使用了SiC-MOSFET的简单辅助电源的性能进行评估而专门开发了评估板(参见图4)。这款评估板为了在准谐振开关AC/DC转换器中驱动1700V耐压SiC-MOSFET“SCT2H12NZ”而使用了BD768xFJ-LB。准谐振工作有助于将开关损耗控制在最低并抑制EMI。电流检测通过外置的电阻器进行。另外,通过使用轻负载时的突发模式工作和降频功能,还可实现节能化与高效化。

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

图4. 使用了SiC-MOSFET的辅助电源单元用评估板

SiC-MOSFET的开关波形如图5所示。通过不同输出负载的波形可以看出在接通SiC-MOSFET时谐振漏源电压如何变化。采用准谐振工作,可最大限度地降低开关损耗和EMI。轻负载时(Pout = 5W时,左图)的突发工作模式结束后,转为准谐振工作模式。通过跳过很多波谷来控制频率。当输出负载増加(Pout = 20W时,中图)时,波谷数量减少,频率上升。当接近规定的最大输出负载(在这种情况下Pout = 40W,右图)时,将只有一个波谷。此时,开关频率达到最大值120kHz。

另外,为了延长一次侧的开关导通时间,可以稍微降低开关频率并提高输出功率的要求。这样,一次侧电流峰值增加,传输的能量也增加(Pout = 40W时)。当超过最大输出功率时,过电流?;すδ芄ぷ鞑⒆柚箍囟?,以防止系统过热。

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

图5. 准谐振工作时的SiC-MOSFET开关波形

首先,评估板因有两个工作点而以电流不连续模式(DCM)工作。然后,在最后一个工作点(40W)时正好达到电流临界模式(BCM)。根据不同的输入电压,DCM和BCM在不同的输出功率进行切换。

图6左侧是对于不同的输入电压,在最大40W的负载范围输出12V电压时的效率。如图6右侧所示,通过测量可知SiC-MOSFET的外壳温度保持在90℃以下。SiC-MOSFET的最大容许结温为175℃。芯片-外壳间的热阻远远低于外壳-环境间的热阻,因此只要是结温低于上限值的外壳即可以说是安全的。这表明该评估板即使在高达40W的输出功率条件下,无需散热器也可工作。另外,如果对SiC-MOSFET增加散热器来冷却输出整流二极管,则可以实现更高的输出功率。

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

图6. 使用了SiC-MOSFET的辅助电源单元评估

这里给出的是各DC输入电压的测量值,利用400 / 480V的三相AC电源也可运行评估板。pcb上安装了整流所需的二极管电桥。

利用SiC-MOSFET技术,可实现小型化并提高系统效率、可靠性及简洁性

在需要几十瓦的简单且性价比高的三相输入用单端反激式解决方案和超过400V的DC输入电压条件下,Si-MOSFET并不适用。因为大电压Si功率MOSFET的性能较低。另外,使用双端反激式或堆叠式MOSFET等设计复杂结构的辅助电源,是非常费时费力的。这部分精力应该用在主电源系统的设计上。

利用1700V SiC-MOSFET的优异性能和BD768xFJ控制IC,不仅能够设计三相系统用或高DC输入电压用的简单辅助电源,而且还可以发挥出卓越的性能。 利用基于SiC-MOSFET的技术,设计人员可提高产品的效率、简洁性、可靠性并实现小型化。1700V SiC-MOSFET在性能方面的优势可以与使用了Si-MOSFET的解决方案系统的成本相匹敌,比如可削减散热器、线圈等昂贵部件的成本。经过优化的控制IC可安全地驱动SiC-MOSFET,是能够减轻设计负担并将系统产品投入市场的周期最短化的极具突破性的解决方案。

ROHM的官网公开了更详细的电路图、尺寸指南、部件清单以及更详细的应用说明。另外,还可联系ROHM获取专为辅助电源单元而优化了控制IC和SiC-MOSFET的评估板。

  【关于ROHM(罗姆)】

  ROHM成立于1958年,由最初的主要产品-电阻器的生产开始,历经半个多世纪的发展,已成为全球知名的半导体厂商。ROHM的企业理念是:“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献”。

  ROHM的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、??榈?。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许,成为系统IC和 最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

Cree成为大众汽车集团FAST项目SiC碳化硅独家合作伙伴

这项协议将两场同时进行的产业变革联结在了一起:汽车产业正在经历从内燃机向EV电动汽车的转型,而在半导....
的头像 GaN世界 发表于 05-16 10:03 ? 648次 阅读
Cree成为大众汽车集团FAST项目SiC碳化硅独家合作伙伴

在产业应用进一步成熟的趋势下,SiC的争夺战正一触即发!

SiC(碳化硅)由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-15 10:38 ? 687次 阅读
在产业应用进一步成熟的趋势下,SiC的争夺战正一触即发!

Cree成为大众汽车集团FAST项目SiC碳化硅独家合作伙伴

14日消息,科锐(Cree)宣传成为大众汽车集团(Volkswagen Group)FAST(Fut....
的头像 刘伟DE 发表于 05-15 09:53 ? 1150次 阅读
Cree成为大众汽车集团FAST项目SiC碳化硅独家合作伙伴

SiC功率半导体市场需求突然激增,争夺战一触即发!

近些年,随着电动汽车以及其他系统的增长,碳化硅(SiC)功率半导体市场正在经历需求的突然激增,因此也....
的头像 高工LED 发表于 05-14 16:38 ? 292次 阅读
SiC功率半导体市场需求突然激增,争夺战一触即发!

安森美半导体推出IGBT门极驱动器 提供同类最佳的电流性能和?;ぬ匦?/a>

展示针对强固电源应用的混合IGBT和广泛的IGBT驱动器, 提供同类最佳的电流性能和?;ぬ匦?推动高....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-14 11:44 ? 349次 阅读
安森美半导体推出IGBT门极驱动器 提供同类最佳的电流性能和?;ぬ匦? />    </a>
</div><div class=

Cree宣布投资10亿美元 用于扩大SiC(碳化硅)产能

Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-14 10:24 ? 208次 阅读
Cree宣布投资10亿美元 用于扩大SiC(碳化硅)产能

ROHM新推基于AEC-Q101标准的四款车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

ROHM新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系....
发表于 05-13 18:30 ? 325次 阅读
ROHM新推基于AEC-Q101标准的四款车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

SiC热潮来袭!科锐投资10亿美元扩产SiC

Cree将投资10亿美元,扩大SiC碳化硅产能。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-13 14:57 ? 329次 阅读
SiC热潮来袭!科锐投资10亿美元扩产SiC

Cree将宣布投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能

先进的制造园区,将加速从Si硅向SiC碳化硅的产业转型,满足EV电动汽车和5G市场需求。
的头像 每日LED 发表于 05-10 17:53 ? 880次 阅读
Cree将宣布投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能

抢先看第三代半导体GaN与SiC技术沙龙

随着全球5G网络规?;渴鸷蜕桃祷碳铀?,电动汽车驱动系统小型轻量化需求的提升,GaN和SiC功率....
的头像 21克888 发表于 05-09 17:47 ? 1074次 阅读
抢先看第三代半导体GaN与SiC技术沙龙

第三代化合物半导体SiC及GaN市场及应用分析

SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。SiC器件相对于Si器件的优势之处在于,降低能量....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 05-09 10:06 ? 557次 阅读
第三代化合物半导体SiC及GaN市场及应用分析

碳化硅与氮化镓的发展

5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发...
发表于 05-09 06:21 ? 55次 阅读
碳化硅与氮化镓的发展

UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET

碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布,已经为UJ3C....
发表于 05-08 09:04 ? 50次 阅读
UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET

SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件,单位面积的导通电阻也越大(以耐压值的约2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的电...
发表于 05-07 06:21 ? 58次 阅读
SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

浅析SiC功率器件SiC SBD

1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压...
发表于 05-07 06:21 ? 50次 阅读
浅析SiC功率器件SiC SBD

富士康济南项目将建设8寸晶圆厂功率半导体器件

据介绍,中铁14局主要负责项目的基础工程、主体工程、装饰装修、场区市政以及安装工程等,目前项目进场道....
的头像 半导体行业联盟 发表于 05-06 16:40 ? 849次 阅读
富士康济南项目将建设8寸晶圆厂功率半导体器件

SiC功率元件凭借电动车发展扩大应用,成本问题为主要考量

受惠于电动车市场需求提升,为因应高电压、高频率及低耗损的技术需求,SiC(碳化硅)功率元件被视为接替....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 05-06 15:54 ? 306次 阅读
SiC功率元件凭借电动车发展扩大应用,成本问题为主要考量

SiC功率器件概述

1. SiC??榈奶卣鞔蟮缌鞴β誓?橹泄惴翰捎玫闹饕怯蒘i材料的IGBT和FRD组成的IGBT???。ROHM在世界上首次开始...
发表于 05-06 09:15 ? 29次 阅读
SiC功率器件概述

第三代化合物半导体SiC及GaN市场及应用分析

SiC适合高压领域,GaN更适用于低压及高频领域。
的头像 荷叶塘 发表于 05-04 23:15 ? 3239次 阅读
第三代化合物半导体SiC及GaN市场及应用分析

SiC器件或将主导未来电动汽车动力传动系统设计

摘要 宽带隙(宽带隙(WBG)半导体正在包括电动汽车(EV)在内的各种功率转换中得到应用,凭借其更高....
的头像 GaN世界 发表于 05-02 10:55 ? 1455次 阅读
SiC器件或将主导未来电动汽车动力传动系统设计

内置绝缘元件栅极驱动器BM6103FV-C

日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部位于日本京都市)开发出内置绝缘元件的栅极驱动器"BM6103FV-C",最适合作为电动汽车(...
发表于 04-29 21:09 ? 65次 阅读
内置绝缘元件栅极驱动器BM6103FV-C

第三代半导体材料突破传统硅基半导体材料的瓶颈,从而引领了新一轮产业革命

除此之外,为了缩短测试所用的时间,这种仪器还必须能够监视这台设备所消耗的电压和电流,并以此来判断设备....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 04-28 14:56 ? 685次 阅读
第三代半导体材料突破传统硅基半导体材料的瓶颈,从而引领了新一轮产业革命

高可靠性1700V全SiC功率???/a>

ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器,开发出实现行....
发表于 04-24 13:06 ? 549次 阅读
高可靠性1700V全SiC功率??? />    </a>
</div><div class=

罗姆推出内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC

在高耐压范围中,SiC MOSFET与Si-MOSFET相比,具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持....
发表于 04-24 12:46 ? 327次 阅读
罗姆推出内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC

SiC SBD的正向特性

1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压...
发表于 04-22 06:20 ? 53次 阅读
SiC SBD的正向特性

SiC材料做成的器件有什么优势

目前IGBT和MOSFET都是广泛使用的功率器件,特别是在高压电力电子领域IGBT应用更为普遍。那么,IGBT和MOSF...
发表于 04-22 02:17 ? 75次 阅读
SiC材料做成的器件有什么优势

属于 SiC器件的时代也许真的要到来了

开启电动车神奇盒子的钥匙——碳化硅(SiC)
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 04-19 16:18 ? 1109次 阅读
属于 SiC器件的时代也许真的要到来了

SiC助益电动汽车发展,英飞凌与意法半导体加速布局

来源:拓墣产业研究院电动汽车领域分为HEV(混合动力车)与新能源车(BEV、PHV、FCV)两大类,....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 04-19 16:16 ? 1336次 阅读
SiC助益电动汽车发展,英飞凌与意法半导体加速布局

总投资10亿,泰科天润六英寸SiC项目落户江西九江

在九江市委、市政府主要领导的高位推动下,由泰科天润半导体科技(北京)有限公司投资建设的6寸半导体碳化....
的头像 集成电路园地 发表于 04-12 17:32 ? 1221次 阅读
总投资10亿,泰科天润六英寸SiC项目落户江西九江

QPD2731多尔蒂功率放大器的数据手册免费下载

QPD2731是一种由预先匹配的分立氮化镓在SiC Hemts上组成的不对称多尔蒂功率器件。该设备的....
发表于 04-12 08:00 ? 68次 阅读
QPD2731多尔蒂功率放大器的数据手册免费下载

意法半导体收购Norstel 55%股权 SiC成巨头布局热点

SiC功率器件大势所趋,国际巨头竞相布局,全球领先的半导体供应商意法半导体拟通过并购整合进一步扩大S....
发表于 04-06 16:41 ? 545次 阅读
意法半导体收购Norstel 55%股权 SiC成巨头布局热点

PWD5F60高密度片上系统电源驱动解决方案

ST公司的PWD5F60是先进的电源片上系统,集成了栅极驱动器和双路半桥配置的四个N沟功率MOSFE....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-05 11:16 ? 139次 阅读
PWD5F60高密度片上系统电源驱动解决方案

探访三亚FE现场,揭秘文图瑞车队精彩逆变

历经Formula E三季的磨砺,罗姆SiC功率元器件与文图瑞车队一同走过了怎样的历程?在香港站文图....
发表于 04-04 13:00 ? 764次 阅读
探访三亚FE现场,揭秘文图瑞车队精彩逆变

ROHM推出两款单通道同步整流的降压型开关稳压器BD9123MUV、BD9130NV

罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一,创立于1958年,总部位于日本京都市。历经半个多世纪的发展,罗姆的生产、...
发表于 04-04 06:20 ? 148次 阅读
ROHM推出两款单通道同步整流的降压型开关稳压器BD9123MUV、BD9130NV

碳和硅都这么优秀了,可是怎么还出了一个碳化硅(SiC)?

你可能没见过莫桑石,但你一定听说过金刚砂,这个类似“金刚石”的名称已经霸气侧露的表示出了它的硬度。常....
的头像 TechSugar 发表于 03-28 15:46 ? 1240次 阅读
碳和硅都这么优秀了,可是怎么还出了一个碳化硅(SiC)?

SiC-SBD大幅降低开关损耗

电源系统应用实现小型与更低损耗的关键 | SiC肖特基势垒二极管 在功率二极管中损耗最小的SiC-SBD ROHM努力推进...
发表于 03-27 06:20 ? 89次 阅读
SiC-SBD大幅降低开关损耗

SiC功率??榈奶卣饔氲缏饭钩?/a>

1. SiC??榈奶卣鞔蟮缌鞴β誓?橹泄惴翰捎玫闹饕怯蒘i材料的IGBT和FRD组成的IGBT???。ROHM在世界上首次开始...
发表于 03-25 06:20 ? 118次 阅读
SiC功率??榈奶卣饔氲缏饭钩? />    </a>
</div><div class=

UnitedSiC宣布推出适用大型反激式AC-DC的SiC JFET晶片

美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布已经推出一系列适....
发表于 03-20 09:19 ? 393次 阅读
UnitedSiC宣布推出适用大型反激式AC-DC的SiC JFET晶片

国内功率半导体需求持续上升 产品价格预期仍将上涨

全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端....
的头像 渔翁先生 发表于 03-19 09:30 ? 4849次 阅读
国内功率半导体需求持续上升 产品价格预期仍将上涨

TI推出多款新型隔离式栅极驱动器,具备出色的监控能力和高压?;?/a>

新型TI栅极驱动器提供先进的监控和?;すδ?,同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率。
发表于 03-19 09:13 ? 438次 阅读
TI推出多款新型隔离式栅极驱动器,具备出色的监控能力和高压?;? />    </a>
</div><div class=

满足新能源汽车应用的SiC MOSFET系列产品

产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链,包括:电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片....
的头像 人间烟火123 发表于 03-15 10:48 ? 1632次 阅读
满足新能源汽车应用的SiC MOSFET系列产品

新兴市场SiC 、GaN 功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元

对SiC行业持续强劲增长的预期很高,主要推动力是混合动力和电动汽车销售的增长。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 03-15 08:55 ? 867次 阅读
新兴市场SiC 、GaN 功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元

需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带....
发表于 03-11 11:15 ? 805次 阅读
需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

世纪金光面向新能源汽车推出SiC MOSFET系列产品

世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料....
的头像 人间烟火123 发表于 03-10 10:06 ? 2339次 阅读
世纪金光面向新能源汽车推出SiC MOSFET系列产品

Linux入门教程之Linux内核完全注释PDF版电子书免费下载

本书对早期Linux 操作系统内核(v0.11) 全部代码文件进行了详细全面的注释和说明,旨在让读者....
发表于 03-06 08:00 ? 123次 阅读
Linux入门教程之Linux内核完全注释PDF版电子书免费下载

ROHM成功推出拥有优异的分光感度特性的照明度传感器LSI BH1600FVC

手机、液晶电视、笔记本电脑等的液晶显示器,需要根据周围环境的亮度来调整其辉度,从而实现节能化并提高清....
发表于 03-05 14:34 ? 257次 阅读
ROHM成功推出拥有优异的分光感度特性的照明度传感器LSI BH1600FVC

新型SiC光导开关特性研究论文的详细资料说明

光导开关因其具备开关速度快、传输功率大、同步精度高、触发抖动小、器件结构简单、使用寿命长、近乎完美的....
发表于 02-27 08:00 ? 90次 阅读
新型SiC光导开关特性研究论文的详细资料说明

ROHM推出1608尺寸白光贴片LED 适用于以温控器为首显示面板

为了提高设计灵活性和视认性,作为工业设备和消费电子设备中显示面板的数字显示和指示灯光源,使用小型白光....
的头像 人间烟火123 发表于 02-23 10:03 ? 1490次 阅读
ROHM推出1608尺寸白光贴片LED 适用于以温控器为首显示面板

SM7505芯片的电源驱动方案资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SM7505芯片的电源驱动方案资料免费下载。
发表于 02-18 08:00 ? 57次 阅读
SM7505芯片的电源驱动方案资料免费下载

安森美:SiC、GaN助力更小电源转换系统发展

根据IHS Markit分析,由于混合动力和电动汽车,电源和太阳能逆变器主要应用市场的需求,预计20....
的头像 渔翁先生 发表于 02-15 00:09 ? 5200次 阅读
安森美:SiC、GaN助力更小电源转换系统发展

意法半导体宣布收购Norstel55%股权 收购总额将达1.375亿美元

SiC功率器件大势所趋,国际巨头竞相布局,如今意法半导体拟通过并购整合进一步扩大SiC产业规模。
的头像 半导体动态 发表于 02-11 15:07 ? 1358次 阅读
意法半导体宣布收购Norstel55%股权 收购总额将达1.375亿美元

SiC MOSFET进入主流市场,功率器件新局面正式开启

进一步提高切换频率会导致硅基解决方案效率与最大输出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切换损耗不....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 02-04 17:09 ? 1292次 阅读
SiC MOSFET进入主流市场,功率器件新局面正式开启

GaN-SiC混合材料更薄和更高功率

瑞典的研究人员在碳化硅(SiC)上生长出更薄的IIIA族氮化物结构,以期实现高功率和高频薄层高电子迁....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 02-02 17:29 ? 727次 阅读
GaN-SiC混合材料更薄和更高功率

基于SiC技术的碳化硅衬底提升LED的发光度

大多数现代LED由氮化铟镓(InGaN)和蓝宝石衬底组成。该架构运行良好,并使LED制造商能够提供效....
的头像 电子设计 发表于 01-17 08:21 ? 1701次 阅读
基于SiC技术的碳化硅衬底提升LED的发光度

科锐与意法半导体签署供货协议

科锐(Nasdaq: CREE)宣布与意法半导体(NYSE: STM)签署多年协议,将为意法半导体S....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-15 10:26 ? 1199次 阅读
科锐与意法半导体签署供货协议

想做车用SiC元件?这点一定不能错过!

在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU的WInSiC4AP专案所要达成....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 01-12 08:47 ? 1256次 阅读
想做车用SiC元件?这点一定不能错过!

2025年中国IGBT市场规模将达522亿人民币,新能源汽车为最大应用领域

集邦咨询最新《2019 中国 IGBT 产业发展及市场报告》显示,2018 年中国 IGBT 市场规....
发表于 01-10 14:24 ? 1423次 阅读
2025年中国IGBT市场规模将达522亿人民币,新能源汽车为最大应用领域

唯样携合作原厂亮相2018深圳国际电子展, 带你回顾不一样的精彩!

2018的最后一个月,一年一度的深圳国际电子展如期而至。12月20日-22日,电子元器件目录授权分销....
的头像 人间烟火123 发表于 12-26 08:36 ? 2253次 阅读
唯样携合作原厂亮相2018深圳国际电子展, 带你回顾不一样的精彩!

“2018中国新材料产业发展大会”在南京召开

中国科学院半导体研究所张峰研究员做了“宽禁带半导体SiC 器件研究进展”的报告,报告围绕第三代半导体....
的头像 半导体行业联盟 发表于 12-25 16:12 ? 6528次 阅读
“2018中国新材料产业发展大会”在南京召开
  • [大笑]白话文、古文,随便你出招,敢来么? 2019-05-02
  • “价值由劳动创造≠劳动必然创造价值”?傻,即便如此,你也没能成功否定“价值由劳动创造”呀! 2019-04-30
  • 植树、采茶、挖野菜…… 这才是春天正确的打开方式 2019-04-18
  • 中美GDP的争夺战决定炒房也无人去管。房子用来住的,不是用来炒的根本无人落实。 2019-04-18
  • 【访民情 惠民生 聚民心】果勒买里村丰收忙 2019-04-14
  • 2018中国双一流大学专业排行榜发布 清华大学位列第一 2019-04-10
  • 一语惊坛(5月23日):中华复兴靠实干,干部有作为必须腰杆硬。 2019-04-07
  • 不撞南墙不回头。痛定思痛。动辄把独立自主、自力更生,说成是崩溃边缘,是多么轻率、可笑。 2019-03-29
  • 多国开发“冰上丝路”,北极将成黄金水道? 2019-03-29
  • 是什么时候颠覆了“文艺应当为千千万万劳动人民服务”这一社会主义文艺路线的?!那一股“伤痕潮”功不可灭,可惜的是“旧伤痕”已经烟灭,取代其的是“挖根潮”。留给工农 2019-03-26
  • 陈理、郭如才谈《习近平关于全面从严治党论述摘编》 2019-03-21
  • 北京大学党委常委、党委副书记、医学部党委书记刘玉村作健康知识专题报告 2019-03-21
  • 我早就说过,任何时候都不能对美国抱有幻想。否则就是白痴。 2019-03-20
  • 西班牙vs阿根廷6比1狂胜 梅西因伤作壁上观愤然离场 2019-03-20
  • 池莉:她构建了一座叫“生活”的城 2018-12-13
  • 753| 492| 665| 18| 110| 6| 383| 799| 605| 187|