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火炬之光2赌博:日本芯片能从依赖进口做到自主研发靠的是什么?

皇华电子元器件IC供应商 ? 2018-06-21 10:27 ? 次阅读

揭秘微信赌博群 www.b03i.com.cn 历时8个多月的东芝半导体出售案终于尘埃落定。这被日媒视作日本半导体产业衰败的另一标志性事件。日本半导体业曾有过黄金时代,曾在世界范围内具有举足轻重的地位,这令人唏嘘的兴衰背后,究竟发生了什么?

历时8个多月的东芝半导体出售案终于尘埃落定。

6月1日,东芝宣布,已完成出售旗下半导体公司(TMC)的交易,售予贝恩资本牵头的日美韩财团组建的收购公司Pangea。尽管东芝对Pangea拥有40.2%股份,但大股东已易主贝恩资本。

这被日媒视作日本半导体产业衰败的另一标志性事件。据IC Insights此前公布的2018年第一季度全球前十五大半导体公司(以销售额计算)名单中,东芝半导体是硕果仅存的日本公司。而在鼎盛时期的1993年,IC Insights发布的全球十大半导体公司中有6家日本公司。

日本半导体产业这令人唏嘘的兴衰背后,究竟发生了什么?起家:从依赖进口到自主研发

日本索尼公司的官网上至今都挂着这样一段历史,该公司创始人之一井深大1952年在美国进行为期3个月的调查旅行,期间听说了西方电器公司(WE)有意转让晶体管专利,但代价高达25000美元,这相当于日本东京通信工业公司(索尼前身)总资产的10%,尽管心生向往,但井深大最终带着遗憾回国。索尼的另一创始人盛田绍夫后来于1953年赴美谈判,最终拿下了这项技术。

但他们并没有采纳WE的建议——将晶体管用做助听器,而是摸索出一个全新的应用领域。1955年,索尼研制出全球第一台晶体管收音机。1959年,索尼收音机销售额达250万美元。

日本公司纷纷效仿。到1965年,日本的收音机出口量达到2421万台。另外,电子计算器和电视也撬动了美国市场的大门。

日本消费电子在美国市场获得成功,不仅因为其产品创新和性价比高,还与美国的政策有关。当时美国将电子产业的重心转移到了军用上,这为日本的民用电子产品提供了机遇。

到1960年代,日本半导体产业继续追赶美国。当时,日本政府以关税壁垒和贸易?;ふ呶档钠鸩?ldquo;保驾护航”。但外资开始“叩响”大门,终于在1968年,美国德州仪器以合资的模式进入日本市场,但得遵守严苛的技术转让等限制。

当时日本国内半导体制造设备的国产化比率只有20%,美国的反制措施让日本半导体产业意识到自身的被动。其一,IBM在1970年宣布将在其新推出的大型计算机中使用半导体存储器,半导体存储器开始替代磁芯,在半导体存储器中占据重要位置的DRAM内存芯片,成为潜力无限的大市场。一夜之间行业游戏规则大变。其二,美国拒绝向日本提供 IC集成电路,使日本电子计算器在美国的市场份额从繁盛时期的80%跌至了1974年的27%。

由此,日本开始以“举国之力”来进行自主研发。一个官产学研发项目彻底改变了日本半导体产业的地位。这个项目就是日本通商产业?。ň貌凳∏吧恚┓⑵鸪闪⒌腣LSI共同研究所(超LSI技术研究组合),“打造未来计算机必不可少的大规模集成电路”这一口号也显示了日本的巨大野心。日本通产省将市场中的各大竞争对手(富士通、日立、三菱电机、东芝和NEC)的研发人员集结起来,总计投入700亿日元,政府出资290亿日元(几乎相当于当时通产省补贴支出的一半)。

上述项目在4年到期后,取得专利1000多项。VLSI共同研究所所长、有日本半导体之父之称的垂井康夫设定的方针或许总结了成功的秘诀:竞争者们能否互相协作是一个大问题,那么我们就以”基础的、共通的”为方针,从各家公司的共同点出发,来研发、制定未来的大规模集成电路技术。

1970年代日本对美国等外部的关键制程设备和生产原料依赖率达到80%,而到1980年代初,日本半导体制造装置国产化率达到了70%以上,为日后超越美国成为半导体业霸主奠定了基础。

由此日本半导体业开启了“黄金时代”,全球市场份额不断上升,在世界范围内开始具有举足轻重的地位。以1980年投入市场的64K DRAM为例,1981年,日立市场占有率全球第一,占40%的份额;第二位是富士通,占20%,NEC占9%。之后,NEC主导了256K时代,东芝主导了1MB时代。到1986年,日本半导体企业在全球DRAM的市占率达到了80%,超越了美国。

这一时期的日本产业发展主要靠出口。1970-1985年的15年间,日本该产业的产值增加了5倍,出口增加了11倍。

转折:由盛而衰背后是未能抓住规?;?/p>

祸兮福所倚,福兮祸所伏。

1980年代后期,日本的DRAM市场份额开始大幅衰退,根本原因是DRAM市场结构发生巨变,频繁发生的贸易摩擦也一定程度上阻碍了行业发展。

日本企业在早期大型计算机所用的存储器上有技术优势,看重的是存储器的品质。但1980年代后期,随着个人电脑市场蓬勃发展,对存储器的可靠性和寿命要求较低,更侧重于低价。但日本当时依旧以高可靠性为生产标准,未能很好地适应市场变化。

有业内人士指出,尽管当时日本公司看到了个人电脑市场的动向,但仍执着于成品率,在降低成本方面比较欠缺。对比日韩的半导体公司会发现,韩国公司在成本上大幅领先于日本公司,生产同样的元器件,日本公司使用的设备数量竟是韩国的2倍,生产流程过长,进而无法降低成本。

另有分析指出,这也和日本制造商没有采取Fabless模式有关。这种水平分工的发展模式可以使专业公司专注设计,代工厂专注生产,可以对市场变化做出迅速反应,将机器折旧影响到的成本劣势降到很低。

“日本的半导体制造大多仍是大集团下的子部门,尽管个别产品有不错的成绩,但在品牌占有率达到一定程度后,该模式无法再有效推升其半导体的零组件往下一个里程碑前进。Fabless模式是半导体产业在规模经济发展下的必然走向。而以日本的发展模式来看,与其说错失了市场的大变化,不如说半导体发展有很强的规模经济作为营运支撑,而日本制造商未能发展出具有相对应经营型态与经济规模的厂商,造成其竞争力不断被削弱。”集邦拓墣产业研究院研究经理林建宏对21世纪经济报道记者表示。

此外,日本半导体产业也受到了外部贸易摩擦的影响。日本半导体业的不断崛起,让美国同行?;信噬?。这可以从媒体报道窥见一斑。1978年,美国《财富》杂志刊登了《硅谷的日本间谍》的报道;1981年3月和12月,又两次刊登报道敲响美国半导体行业的警钟。1983年,《商业周刊》杂志刊登了长达11页的《芯片战争:日本的威胁》的专题。

随着日本厂商的大量产能进入市场,供给严重过剩引发了全球DRAM的价格暴跌。1985年6月,美国半导体工业协会(SIA)向美国贸易代表办公室提起对日本半导体产品倾销诉讼;此后,美光向美国商务部提起日本64K DRAM倾销诉讼。“日美半导体战争”正式开战。

这场战争最终以“日美半导体协定”了结。协定内容主要包括改善日本市场的准入和终止倾销。美国加快推进研发,成功夺回宝座。到1993年,美国半导体公司的世界份额重回世界第一,并保持至今。

由于外部贸易摩擦激化,日本公司开始向内需拉动的增长模式转型。在1985-2000年的15年间,日本电子产业的产值和出口增加了1.5倍,而内需增加了2倍多。

在1990年代初,日本经历了泡沫经济崩溃,进入“失去的20年”。2000年以后,日本GDP增长停滞,日本电子产业总体出现衰退。2013年日本电子产业的产值是11万亿日元,不到峰值时(26万亿日元)的一半。

“1980年代末,日本经济达到了全球第二,美国以广场协议和日美半导体协定来施压,这大幅打压了日本企业的获利能力。而韩国趁势举国家之力来发展半导体行业,不久后日本经济泡沫破裂,补贴难以维系。”显示及半导体行业咨询机构CINNO副总经理杨文得对21世纪经济报道记者表示,半导体行业发展和一国的宏观经济情况息息相关,因为这是资金超级密集的产业,需要持续的、大规模资金投入才会成功。当一国经济整体不景气时,就难以大力支持其发展。

重振:结构性改革和重启“官产学”项目

日本半导体产业试图以结构性改革和重启“官产学”项目来重振旗鼓。

在日本通产省的主导下,1999年,日立和NEC的DRAM部门整合成立了尔必达(Elpida),三菱电机随后也参与进来,而其他日本半导体制造商均从通用DRAM领域中退出,将资源集中到具有高附加值的系统集成晶片等领域。Elpida是希腊语“希望”的意思,这个公司名体现了日本半导体产业对这最后的DRAM制造商所寄予的厚望。

无奈,“外面的世界”瞬息万变。2008年金融?;?,全球需求骤降,DRAM供应严重过剩,2GB的DRAM在2008年的价格为20美元以上,而2012年则跌至1美元以下。全球DRAM生产商都陷入严重赤字,尔必达也不例外。日本政府在2009年伸出援手,注资并为其担?;竦萌毡菊咄蹲室腥谧?。

但终究颓势难挽,尔必达不堪负债最终于2012年2月底宣布破产,2012年7月被美光并购。

一位日本半导体从业者向21世纪经济报道记者表示,自然灾害对日本半导体产业发展有一定的影响。3·11大地震加速日本半导体产业竞争力下滑。

“我们公司在地震中也损失惨重,股价一路下跌,直到前两年重组又建厂才恢复正常的产量。股价也翻了三番。半导体生产对环境要求很高,要无尘稳定的环境下才能制作出精良产品。”该日本半导体业内人士表示。

但也有分析指出,尔必达的失败是日本半导体产业重蹈覆辙,即跟不上行业的变化,上次是跟不上个人电脑市场的崛起,这次是跟不上电脑向智能手机和平板电脑的转向。

“日本企业一般精于钻研技术,但对外界变化的应对能力比较迟钝,因为其内部通常较为官僚化、决策过程慢。其过去30年的成果其实是在外部没有很多劲敌的情况下取得的,当面临更多竞争对手时,这种专注但又反应迟缓的弱点就会被放大。”杨文得说。

日本启动了多项官产学项目,包括飞鸟(Asuka)计划、未来计划MIRAI、HALCA等。2006年,日本推出新的五年计划,被视为ASUKA计划的延续。新五年计划分两部分:一是SELETE五年研发项目,每年投资预算100亿日元,探索45纳米和32纳米实际应用工艺。另一部分是STARC五年研发计划,每年投资预算50亿日元,用于开发DFM设计平台。

尽管日本半导体业的辉煌已成为历史,目前的全球市占率已不到10%,但在一些细分领域仍然扮演着重要角色。

“日本在材料、精密机械、基本的物理化学数学等的科研能力与厂商都仍有影响力。历史累积的专利与专业人才都仍然很强。只要资本与公司运作的模式对了,若能抓到下一波重大商品的转变点,日本的半导体产业仍会有很好的竞争力。”林建宏说。

“半导体是一个集成性的行业,一个芯片的产生需要近一万人的工作量,同时需要多年的经验积累才有创新。日本半导体根基很深,目前可能发展得比较慢,但其基础仍在,要翻身就看国家以后对半导体行业的投入。”上述日本半导体业内人士表示。

原文标题:日本芯片探秘:为何他们能从依赖进口做到自主 研发?

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的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-22 16:24 ? 496次 阅读
Q1净收入3.55亿欧元!ASML公布最新财报

2019年是中国半导体显示企业冲击产业链高端的关键一年

以业界目前火热的可折叠屏技术为例,TCL集团旗下华星光电展示了多款OLED柔性折叠屏技术与概念产品,....
的头像 扩展触控快讯 发表于 04-22 15:20 ? 531次 阅读
2019年是中国半导体显示企业冲击产业链高端的关键一年

TCL集团已收到本次重大资产出售涉及的全部交易价款

据悉,在2018年12月8日TCL集团披露的重组方案中,TCL集团将其直接持有的TCL实业100.0....
的头像 扩展触控快讯 发表于 04-22 15:03 ? 612次 阅读
TCL集团已收到本次重大资产出售涉及的全部交易价款

投资31亿美元,德州仪器将新建 12英寸模拟半导体晶圆制造厂

据当地新闻媒体报道,该项目将占地约870,000平方英尺,位于Custer Parkway和Alma....
的头像 芯论 发表于 04-22 13:38 ? 431次 阅读
投资31亿美元,德州仪器将新建 12英寸模拟半导体晶圆制造厂

半导体三极管是如何工作的

PNP型半导体三极管和NPN型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过...
发表于 04-18 09:05 ? 437次 阅读
半导体三极管是如何工作的

第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用

GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市...
发表于 04-13 22:28 ? 305次 阅读
第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用

东芝TX19/39系列

东芝TX19/39系列
发表于 04-10 09:30 ? 23次 阅读
东芝TX19/39系列

关于半导体切换开关的流程剖析

半导体切换开关-Semiconductor Toggle S
发表于 04-04 06:04 ? 55次 阅读
关于半导体切换开关的流程剖析

东芝U-1100UPS电源的正弦脉宽调制及逆变器全桥驱动电路

东芝U-1100UPS电源的正弦脉宽调制及逆变器全桥驱动电路...
发表于 04-01 14:49 ? 84次 阅读
东芝U-1100UPS电源的正弦脉宽调制及逆变器全桥驱动电路

4155B/4156B半导体参数分析仪程序员指南

Provides information about controlling the 4155B/4156B by remote control command via GPIB interface and Instrume...
发表于 03-22 06:17 ? 122次 阅读
4155B/4156B半导体参数分析仪程序员指南

集成电路发明者Jack Kilby的世界

59年前,Jack Kilby向少数几名聚集在德州仪器半导体实验室的同事展示的其实是一个并不复杂的装置——它仅仅是在一块锗片上嵌置...
发表于 03-13 06:45 ? 227次 阅读
集成电路发明者Jack Kilby的世界

东芝U-1100UPS的正弦波发生器电路图

东芝U-1100UPS的正弦波发生器电路
发表于 03-12 10:34 ? 78次 阅读
东芝U-1100UPS的正弦波发生器电路图

三种工作状态的三极管分别有什么区别?

有放大、饱和、截止三种工作状态,放大中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态,对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实...
发表于 03-05 07:00 ? 431次 阅读
三种工作状态的三极管分别有什么区别?

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 ? 587次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 ? 54次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比?数字温度传感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
发表于 01-08 17:51 ? 61次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 ? 66次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期??梢酝ü贑T引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度?;?,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 ? 87次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 ? 60次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 ? 65次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 ? 125次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器??椋℉WA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 ? 410次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 ? 68次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)?;ぃ?kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 ? 78次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?霍尔效应锁存器和开关 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 ? 94次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流?;?,过流检测和过压?;さ缏?,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转?;?推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 ? 69次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 ? 102次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 ? 111次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 ? 157次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 ? 97次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 ? 95次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 ? 84次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器
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