张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,??戳此立抢??

赌博默示录2电影版:恒温器终端设备中SSR的组件选择过程

Duke ? 2018-06-20 09:31 ? 次阅读

揭秘微信赌博群 www.b03i.com.cn 有两种电源可供恒温器使用:电池和24VAC电源。恒温器需要电池供电不中断运行。非常重要的一点是,这些电池所消耗的能量尽可能低,但即使您将耗电量降至最低,用户使用起来仍感不便,因为电池需要不时更换。为了降低更换频率,您可使用24 VAC电源。当系统中C线不可用时,图1所示的桥式整流器可通过负荷将交流(AC)电压转换成一个直流(DC)电压。

图1:带暖通空调负荷的单恒温器信号中继连接

  暖通空调负荷(压缩机、风扇、气体阀等)关断期间,信号继电器的触点断开。当触点打开时,整流桥的端子看到HVAC变压器的电压为24VAC,并将交流电源转为直流电源,如先前所述。由此得到的直流电压被用于驱动恒温器或子电路。

  暖通空调负荷导通期间,信号继电器的触点闭合。当触点关闭时,跨过整流桥端子的电压降到零。这样无需将24VAC用作电源,因此恒温器的电池电源必须控制电路。操作机电继电器所需电流的范围从几十到几百毫安不等,它可对电池寿命产生显著影响。

  如果有种方法无需要使用恒温器的电池即可驱动继电器,情况将会怎样?电池寿命会增加,更换频率将进一步降低。一种方法是在暖通空调负荷导通期间(信号继电器触点闭合),短暂打开继电器并为控制系统充电。相比功率继电器的关断时间,充电期间所需时间需要非常短,这样可激励功率继电器及其相应负荷。不幸的是,机电(信号)继电器由于其开关速度限制不太可能实现这一目标。触点移至期望位置花费的时间处在毫秒范围内,并将中断HVAC负荷运转。

  幸运的是,有种装置能够实现合适的开关速度:固态继电器(SSR)。 SSR为使用晶闸管或功率晶体管执行开/关控制的基于半导体的中继器。

  这个再充电方法需要一个具有双MOSFET结构的SSR,因为它在必要时可关闭基于MOSFET的SSR。此外,每个MOSFET的体二极管可协助24VAC的整流。结合两个附加二极管的 MOSFET体二极管建立一个全波整流桥,如图2所示。

 

图2:一个HVAC系统中SSR的电源

  图3所示为对应于图2中颜色编码二极管所得的整流波形。在整流桥的输出连接一个大小合适的电容器可消除最终波形的电压纹波。然后,您可将控制系统的直流电压降到期望电压。

图3:全波整流波形

  使用SSR可让HVAC系统充分为恒温器供电,降低了电池的功率使用率。SSR关闭时,HV1和HV2管线将看到全24VAC电压,并在整流桥的输出提供一个恒定33VDC电压。SSR接通时,它仍可能通过短时开/关状态进行循环,从而再次为供电电容器充电。这一设计可大大降低恒温器电池的能量要求,进而降低电池更换频率。

  想了解恒温器终端设备中SSR的组件选择过程吗?敬请关注另一篇博文,其中,我将概述一个低成本的SSR设计。

其他信息:

  • 在博文“固态继电器设计的现代方法”中了解SSR。

  • 通过电流隔离参考设计(TIDA-00751)下载固态继电器24V AC开关

  • 查看这些数据表:

  • NexFET™功率MOSFET CSD19537Q3。

  • FemtoFET MOSFET CSD18541F5。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

第七部:分立器件搭建BUCK电源

本套教程为BUCK电源的高级设计教程,用分立元件搭建,现场一步步设计,调试。全面剖析BUCK电源芯片的设计思路,是工程师
发表于 07-26 00:00 ? 32607次 阅读
第七部:分立器件搭建BUCK电源

基于三路输入的理想二极管PowerPath电路DC839A

演示电路DC839A是一款基于三路输入的理想二极管PowerPath电路,采用LTC4413双通道理想二极管控制器和双集成MOSF...
发表于 04-24 08:49 ? 65次 阅读
基于三路输入的理想二极管PowerPath电路DC839A

能进行充电和监控备用电源控制器LTC3350

LTC3350IUHF大电流超级电容器充电器和备用电源的典型应用电路。 LTC3350是一款备用电源控制器,可对一至四个超级电...
发表于 04-24 08:17 ? 43次 阅读
能进行充电和监控备用电源控制器LTC3350

TPS7A7300转3.3V输出异常

各位好, 小弟目前在測試一個電路,使用TPS7A7300 IC 輸入5V,輸出3.3V,相關電路如下圖,因為測試發現輸出結果異常,所以直...
发表于 04-23 14:50 ? 65次 阅读
TPS7A7300转3.3V输出异常

BRCL3130ME单节锂离子锂聚合物可充电电池组?;ば酒氖菔植?/a>

BRCL3130ME 产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组?;さ母呒啥冉饩龇桨?。BRCL3130....
发表于 04-23 08:00 ? 24次 阅读
BRCL3130ME单节锂离子锂聚合物可充电电池组?;ば酒氖菔植? />    </a>
</div><div class=

气味传感器的实战设计应用

把学到的运放的知识用来在实际原理图的设计中进行运用。对于运放来讲,用哪种的输入形态是根据我们的实际项....
的头像 Elecfans学院推荐 发表于 04-22 15:57 ? 432次 阅读
气味传感器的实战设计应用

12转5V 5A芯片有推荐吗

设计要求: 12V电源输入,5V电源输出,DC-DC 内置Mosfet 同期整流,电流能力4A~5A,SS启动时间可调或者固定没关系,...
发表于 04-22 13:44 ? 104次 阅读
12转5V 5A芯片有推荐吗

MOSFET管经典驱动电路设计大全详细资料总结免费下载

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大....
发表于 04-22 08:00 ? 52次 阅读
MOSFET管经典驱动电路设计大全详细资料总结免费下载

SiC材料做成的器件有什么优势

目前IGBT和MOSFET都是广泛使用的功率器件,特别是在高压电力电子领域IGBT应用更为普遍。那么,IGBT和MOSF...
发表于 04-22 02:17 ? 20次 阅读
SiC材料做成的器件有什么优势

【专辑精选】MOSFET系列教程与设计资料

电子发烧友总结了以“ MOSFET”为主题的精选干货,今后每天一个主题为一期,希望对各位有所帮助?。ǖ慊鞅晏饧纯山胍趁嫦?..
发表于 04-19 17:45 ? 389次 阅读
【专辑精选】MOSFET系列教程与设计资料

可在电流控制模式下工作的同步整流降压型DC/DC转换器BD90541MUV-C

罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一,创立于1958年,总部位于日本京都市。历经半个多世纪的发展,罗姆的生产、...
发表于 04-19 06:21 ? 40次 阅读
可在电流控制模式下工作的同步整流降压型DC/DC转换器BD90541MUV-C

空气净化器系统之MOSFET的电路设计

什么叫MOSFET,作为电子硬件设计中非常重要的器件MOSFET有怎样的特性?MOSFET体二极管的....
的头像 Elecfans学院推荐 发表于 04-18 13:53 ? 450次 阅读
空气净化器系统之MOSFET的电路设计

电源干扰噪声到达开关MOSFET上的MCU与PWM

问候语,我使用PIC16F1827 8B MCU和CCP3 PWM输出来控制功率MOSFET的栅极。该MOSFET驱动大开关的分流跳...
发表于 04-18 09:45 ? 72次 阅读
电源干扰噪声到达开关MOSFET上的MCU与PWM

FDH45N50F 500V N沟道晶体管的数据手册免费下载

这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术生产的。
发表于 04-18 08:00 ? 70次 阅读
FDH45N50F 500V N沟道晶体管的数据手册免费下载

用于ATCA背板的MOSFET功率驱动器参考设计

LTC4354,-36V至-72V,5A OR-ing二极管控制器典型参考设计...
发表于 04-17 13:03 ? 231次 阅读
用于ATCA背板的MOSFET功率驱动器参考设计

前级驱动电路设计中的自举电容

一个电源正端的一个电源,那么我们说这里应该用P管,对吧?那么如果呢这个管子放在D端,它的下面直接通D....
的头像 Elecfans学院推荐 发表于 04-17 09:52 ? 1108次 阅读
前级驱动电路设计中的自举电容

基本放大电路的介绍及分析资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是基本放大电路的介绍及分析资料说明主要包括了:1.放大器基本概念 2.MO....
发表于 04-16 08:00 ? 108次 阅读
基本放大电路的介绍及分析资料说明

用于ATCA背板的MOSFET功率驱动器参考设计

LTC4354,-36V至-72V,5A OR-ing二极管控制器典型参考设计...
发表于 04-16 07:10 ? 129次 阅读
用于ATCA背板的MOSFET功率驱动器参考设计

大晶磊半导体最新研发的针对中高压碳化硅MOSFET的驱动解决方案

目前,大晶磊半导体可以为市场提供通过90kV BIL测试的碳化硅驱动???。而且此驱动??榭梢越蓟?...
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 04-11 14:24 ? 662次 阅读
大晶磊半导体最新研发的针对中高压碳化硅MOSFET的驱动解决方案

从工业到智慧工业,半导体厂商可以做什么?

从第一次工业革命开始到现在,工业领域发生了翻天覆地的变化,现在及未来的工业将会更加智能化。
的头像 荷叶塘 发表于 04-10 19:43 ? 2918次 阅读
从工业到智慧工业,半导体厂商可以做什么?

MOSFET2019年价格预估有衰退可能 英飞凌提及扩大委外代工巩固主要营收市场

市场普遍认为,MOSFET 在 2019 年价格预估有衰退可能,原因来自全球 MOSFET 需求吃紧....
的头像 半导体动态 发表于 04-08 17:15 ? 722次 阅读
MOSFET2019年价格预估有衰退可能 英飞凌提及扩大委外代工巩固主要营收市场

国际汽联电动方程式锦标赛三亚站结束 揭密极速赛车的幕后英雄

随着2018-19赛季ABB国际汽联电动方程式锦标赛第六轮比赛结束,卫冕冠军让-埃里克维尔涅在车队主....
的头像 刘伟DE 发表于 04-01 14:41 ? 1878次 阅读
国际汽联电动方程式锦标赛三亚站结束 揭密极速赛车的幕后英雄

有关MOSFET的基本知识

对于一个MOS管,如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短,那么MOS管开启的速度就....
的头像 电源研发精英圈 发表于 03-29 11:57 ? 680次 阅读
有关MOSFET的基本知识

348个实用电路图大全资料合集免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是348个实用电路图大全资料合集免费下载。包括了:±12V→±5V转换电路....
发表于 03-29 08:00 ? 173次 阅读
348个实用电路图大全资料合集免费下载

轻松学会晶体管MOSFET

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconduct....
的头像 发烧友学院 发表于 03-28 14:43 ? 426次 阅读
轻松学会晶体管MOSFET

IR2101高低侧驱动器的数据手册免费下载

IR2101是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高、低侧参考输出通道。专有的....
发表于 03-28 08:00 ? 146次 阅读
IR2101高低侧驱动器的数据手册免费下载

MC33035无刷直流电机控制器的中文数据手册免费下载

MC33035是高性能第二代单片无刷直流马达控制电路。它包含实现开环、三相或四相马达控制所需的全部功....
发表于 03-26 08:00 ? 76次 阅读
MC33035无刷直流电机控制器的中文数据手册免费下载

MOSFET的驱动技术详细资料讲解

MOSFET 作为功率开关管,已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然 MOSFET 作为电压型驱动....
发表于 03-22 08:00 ? 342次 阅读
MOSFET的驱动技术详细资料讲解

MOSFET开始止涨回跌,最高降价两成!

但业界近期已纷纷对功率半导体产业发出预警,强调需求端受到中美贸易战影响,库存水位升高,相关供应商不断....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 03-19 15:06 ? 695次 阅读
MOSFET开始止涨回跌,最高降价两成!

国内功率半导体需求持续上升 产品价格预期仍将上涨

全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端....
的头像 渔翁先生 发表于 03-19 09:30 ? 4547次 阅读
国内功率半导体需求持续上升 产品价格预期仍将上涨

RT9701B电源控制开关芯片的数据手册免费下载

RT9701B是一个集成的100MΩ电源开关,用于自供电和总线供电的通用系列总线(USB)应用。内置....
发表于 03-19 08:00 ? 58次 阅读
RT9701B电源控制开关芯片的数据手册免费下载

满足新能源汽车应用的SiC MOSFET系列产品

产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链,包括:电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片....
的头像 人间烟火123 发表于 03-15 10:48 ? 1441次 阅读
满足新能源汽车应用的SiC MOSFET系列产品

功率MOSFET数据表中的数据解析

视频简介:功率MOSFET数据表包含特性、额定值和性能详细信息,这对应用中MOSFET的选-用至关重....
的头像 EE techvideo 发表于 03-12 06:10 ? 265次 观看
功率MOSFET数据表中的数据解析

需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带....
发表于 03-11 11:15 ? 669次 阅读
需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

无刷电机驱动方案的选型和资料解析免费下载

本文档详细介绍的是无刷电机驱动方案的选型和资料解析免费下载主要内容包括了:一、单相/三相IPM???,....
发表于 03-11 08:00 ? 122次 阅读
无刷电机驱动方案的选型和资料解析免费下载

DRAM大跌价、硅晶圆库存堆积、MOSFET产能过剩 半导体产业爆冷

中国半导体产业由于政策减税、政府补贴,迎来一波又一波小阳春。各大半导体上市企业,你追我赶的疯涨潮。今....
的头像 芯闻社 发表于 03-08 16:11 ? 1052次 阅读
DRAM大跌价、硅晶圆库存堆积、MOSFET产能过剩 半导体产业爆冷

如何使用Coolgan进行英飞凌2500W PFC全桥图腾杆功率因数校正

这是一个应用说明,专用于英飞凌的2500瓦图腾杆全桥功率因数校正(PFC)演示板,包括CoolGan....
发表于 03-08 08:00 ? 190次 阅读
如何使用Coolgan进行英飞凌2500W PFC全桥图腾杆功率因数校正

采用ATPAK封装功率MOSFET在开关器件设计中的应用

视频简介:目前,市场对低能耗和节能型电子产品的需求极大,从而符合及超越政府及行业标准组织的节能要求。....
的头像 EE techvideo 发表于 03-06 06:05 ? 334次 观看
采用ATPAK封装功率MOSFET在开关器件设计中的应用

首款100V DC-DC转换器桥式功率级??榈男阅苡胗τ媒樯?/a>

视频简介:DC-DC转换器设计人员正设法减少设计的尺寸/提高输出功率。在本视频中,我们将为您介绍行业....
的头像 EE techvideo 发表于 03-04 06:19 ? 568次 观看
首款100V DC-DC转换器桥式功率级??榈男阅苡胗τ媒樯? />
    	    </a>
</div><div class=

赛米控功率半导体应用手册第二版电子书免费下载

集成在功率??橹械?IGBT 和 MOSFET 是当今电力电子电路的关键部件,其应用范围正在不断拓展....
发表于 03-01 08:00 ? 253次 阅读
赛米控功率半导体应用手册第二版电子书免费下载

EN6347QI 4A PowerSoC集成电感降压型直流开关变换器的数据手册

EN6347QI是Intel Enpirion 芯片电源系统(PowerSOC)DC-DC转换器。它....
发表于 02-26 08:00 ? 77次 阅读
EN6347QI 4A PowerSoC集成电感降压型直流开关变换器的数据手册

LTspice IV模拟电路图软件免费下载

LTspiceIV是一款专为pc用户打造的模拟电路图软件,通过该软件用户可以在上面绘制各种电路图,无....
发表于 02-25 08:00 ? 103次 阅读
LTspice IV模拟电路图软件免费下载

Vishay宣布推出新款第四代n沟道功率MOSFET 导通电阻比前代器件降低36%

器件采用PowerPAK? SO-8单体封装,栅极电荷为52 nC,输出电荷为68 nC均达到同类产....
发表于 02-21 16:15 ? 305次 阅读
Vishay宣布推出新款第四代n沟道功率MOSFET 导通电阻比前代器件降低36%

捷捷微电在香港君悦酒店举行麦格理证券2019年A股策略会

集微网消息 2月20日,捷捷微电昨日在香港君悦酒店举行了麦格理证券2019年A股策略会,捷捷微电董事....
的头像 半导体投资联盟 发表于 02-21 10:33 ? 1207次 阅读
捷捷微电在香港君悦酒店举行麦格理证券2019年A股策略会

KLS-XM系列控制器的详细资料说明

凯利KLS-XM系列可编程无刷正弦波控制器是凯利公司运用先进的矢量算法专为电动摩托车设计的一种静音、....
发表于 02-19 08:00 ? 83次 阅读
KLS-XM系列控制器的详细资料说明

??榛姹涞缭吹纳杓坪陀τ媒樯?/a>

目前,逆变技术已在国民经济的各个领域中得到了极其广泛的应用,国内外许多公司已能生产技术成熟的标准逆变....
发表于 02-15 15:15 ? 109次 阅读
??榛姹涞缭吹纳杓坪陀τ媒樯? />    </a>
</div><div class=

星恒电源冯笑先谈第一个初心:在技术和质量上赶超全球领先的企业

2019年电动汽车的补贴将大幅下降,2020年后会取消,这对星恒是一个利好。因为我们在十五年前,就把....
的头像 高工锂电 发表于 02-13 15:26 ? 2114次 阅读
星恒电源冯笑先谈第一个初心:在技术和质量上赶超全球领先的企业

多个电路知识点的讲解

对于三极管开关电路,要使其ON和OFF时间越短越好,为防止在OFF时因晶体管中的残留电荷引起的时间滞....
发表于 02-13 08:00 ? 515次 阅读
多个电路知识点的讲解

功率MOSFET的技术和市场及发展等资料的详细分析

根据IHS及Gartner的相关统计,功率MOSFET占据约40%的全球功率器件市场规模??梢苑⑾?,....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-27 10:25 ? 1551次 阅读
功率MOSFET的技术和市场及发展等资料的详细分析

探析在ON状态下的MOSFET和三极管有何区别

本篇文章主要介绍了在ON状态下,MOSFET和三极管的区别。并对其中的一些细节进行了深入的分析和讲解....
的头像 玩转单片机 发表于 01-25 15:02 ? 751次 阅读
探析在ON状态下的MOSFET和三极管有何区别

SYKJ2301-2.3A MOSFET(P通道)封装晶体管的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ2301-2.3A MOSFET(P通道)封装晶体管的数据手册免....
发表于 01-25 08:00 ? 91次 阅读
SYKJ2301-2.3A MOSFET(P通道)封装晶体管的数据手册免费下载

SYKJ2301-2.8A MOSFET(P通道)封装晶体管的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ2301-2.8A MOSFET(P通道)封装晶体管的数据手册免....
发表于 01-25 08:00 ? 77次 阅读
SYKJ2301-2.8A MOSFET(P通道)封装晶体管的数据手册免费下载

SYKJ2302 MOSFET(N通道)封装晶体管的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ2302 MOSFET(N通道)封装晶体管的数据手册免费下载。
发表于 01-25 08:00 ? 81次 阅读
SYKJ2302 MOSFET(N通道)封装晶体管的数据手册免费下载

SYKJ2305S MOSFET(P通道)封装晶体管的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ2305S MOSFET(P通道)封装晶体管的数据手册免费下载。....
发表于 01-25 08:00 ? 79次 阅读
SYKJ2305S MOSFET(P通道)封装晶体管的数据手册免费下载

SYKJ3400 MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ3400 MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载。
发表于 01-24 08:00 ? 80次 阅读
SYKJ3400 MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载

SYKJ3400S MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ3400S MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载
发表于 01-24 08:00 ? 88次 阅读
SYKJ3400S MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载

SYKJ3401封装MOSFET晶体管数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ3401封装MOSFET晶体管数据手册免费下载。
发表于 01-24 08:00 ? 80次 阅读
SYKJ3401封装MOSFET晶体管数据手册免费下载

SYKJ3402S封装晶体管MOSFET(N通道)的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ3402S封装晶体管MOSFET(N通道)的数据手册免费下载。
发表于 01-24 08:00 ? 84次 阅读
SYKJ3402S封装晶体管MOSFET(N通道)的数据手册免费下载

SYKJ4407 SOP P通道增强模式MOSFET的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ4407 SOP P通道增强模式MOSFET的数据手册免费下载。
发表于 01-24 08:00 ? 82次 阅读
SYKJ4407 SOP P通道增强模式MOSFET的数据手册免费下载

SYKJ4409 P通道增强模式MOSFET的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ4409 P通道增强模式MOSFET的数据手册免费下载。
发表于 01-24 08:00 ? 132次 阅读
SYKJ4409 P通道增强模式MOSFET的数据手册免费下载

SYKJ4410N通道增强模式MOSFET

本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ4410N通道增强模式MOSFET
发表于 01-24 08:00 ? 144次 阅读
SYKJ4410N通道增强模式MOSFET

UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 输入阈值的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

UCC27528-Q1器件是一款双通道,高速,低侧栅极驱动器,能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为17ns)。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基于CMOS逻辑,此逻辑是VDD电源电压的一个函数。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑,与VDD电源电压无关。 UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动器。当输入引脚处于悬空状态时,UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚(ENA和ENB),能够更好地控制此驱动器应用的运行。这些引脚内部上拉至VDD电源以实现高电平有效逻辑运行,并且可保持断开连接状态以实现标准运行。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标准引脚分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸收驱动电流 互补金属氧化...
发表于 10-16 11:19 ? 20次 阅读
UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 输入阈值的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。&gt; UCC27211A的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而?;じ卟嗤ǖ啦皇芗纳绺泻驮由⒌缛菟逃械母旱缪褂跋?UCC27210A(a CMOS输入)和UCC27211A(TTL输入)已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...
发表于 10-16 11:19 ? 69次 阅读
UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电压电平上,连同同类产品中最佳的开关特性,使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供(只用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输入低阀值(V IN-L...
发表于 10-16 11:19 ? 48次 阅读
UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 < p>峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而?;じ卟嗤ǖ啦皇芗纳绺泻驮由⒌缛菟逃械母旱缪褂跋?UCC27211A-Q1已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...
发表于 10-16 11:19 ? 88次 阅读
UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性,可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式。借助于三态PWM输入,静态电流可减少至130μA,并支持立即响应。当跳过保持在三态时,电流可减少至8μA。此驱动器与适当的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度等级1:-40°C至125°C 器件人体模型静电放电(ESD)分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V...
发表于 10-16 11:19 ? 68次 阅读
TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流(非对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns(典型值)的极小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...
发表于 10-16 11:19 ? 33次 阅读
UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...
发表于 10-16 11:19 ? 39次 阅读
UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。采用本质上最小化直通电流的设计,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流。 该器件采用标准SOIC-8(D)封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns,典型下降时间为15 ns,负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns,输入下降,输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输出架构使用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产品相比?低侧驱动器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...
发表于 10-16 11:19 ? 29次 阅读
UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 自举电源电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传播延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比?半桥驱动器 ? Number of Ch...
发表于 10-16 11:19 ? 86次 阅读
LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比?低侧驱动器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...
发表于 10-16 11:19 ? 23次 阅读
TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...
发表于 10-16 11:19 ? 37次 阅读
UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...
发表于 10-16 11:19 ? 65次 阅读
UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...
发表于 10-16 11:19 ? 71次 阅读
UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于 10-16 11:19 ? 26次 阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...
发表于 10-16 11:19 ? 12次 阅读
UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而?;じ卟嗤ǖ啦皇芗纳绺泻驮由⒌缛菟逃械母旱缪褂跋?UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...
发表于 10-16 11:19 ? 89次 阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含?;ぬ匦?,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位?;ニ退狼奔涔δ芸煞乐沽礁鍪涑鐾贝蚩?。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO?;?。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...
发表于 10-16 11:19 ? 125次 阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于 10-16 11:19 ? 113次 阅读
UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于 10-16 11:19 ? 44次 阅读
UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?半桥驱动器 ? Number of Channels (#) ...
发表于 10-16 11:19 ? 85次 阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器
  • 植树、采茶、挖野菜…… 这才是春天正确的打开方式 2019-04-18
  • 中美GDP的争夺战决定炒房也无人去管。房子用来住的,不是用来炒的根本无人落实。 2019-04-18
  • 【访民情 惠民生 聚民心】果勒买里村丰收忙 2019-04-14
  • 2018中国双一流大学专业排行榜发布 清华大学位列第一 2019-04-10
  • 一语惊坛(5月23日):中华复兴靠实干,干部有作为必须腰杆硬。 2019-04-07
  • 不撞南墙不回头。痛定思痛。动辄把独立自主、自力更生,说成是崩溃边缘,是多么轻率、可笑。 2019-03-29
  • 多国开发“冰上丝路”,北极将成黄金水道? 2019-03-29
  • 是什么时候颠覆了“文艺应当为千千万万劳动人民服务”这一社会主义文艺路线的?!那一股“伤痕潮”功不可灭,可惜的是“旧伤痕”已经烟灭,取代其的是“挖根潮”。留给工农 2019-03-26
  • 陈理、郭如才谈《习近平关于全面从严治党论述摘编》 2019-03-21
  • 北京大学党委常委、党委副书记、医学部党委书记刘玉村作健康知识专题报告 2019-03-21
  • 我早就说过,任何时候都不能对美国抱有幻想。否则就是白痴。 2019-03-20
  • 西班牙vs阿根廷6比1狂胜 梅西因伤作壁上观愤然离场 2019-03-20
  • 池莉:她构建了一座叫“生活”的城 2018-12-13
  • GreatNews The Intelligent RSS Reader 2018-12-13
  • 953| 590| 578| 882| 970| 806| 860| 295| 955| 746|