张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,??戳此立抢??

赌博技术:AWorks外围器件:驱动EEPROM和SPI Nor Flash存储器

ZLG致远电子 ? 2018-06-20 09:01 ? 次阅读

揭秘微信赌博群 www.b03i.com.cn 本文导读

一个应用的实现往往离不开大量的外围器件,如存储设备,RTC设备、显示设备等等。为了建立完整的生态系统,AWorks提供了大量常用外围器件的驱动,使用户可以使用通用设备接口操作各种器件,并确保在保持应用程序不变的同时,同类设备间依然可以任意替换。

原文标题:AWorks软件篇 — 常用外围器件(EEPROM和SPI Nor Flash存储器)

文章出处:【微信号:ZLG_zhiyuan,微信公众号:ZLG致远电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

《嵌入式技术ARM裸机开发》之存储器

我们将《嵌入式工程师-系列课程》分成两大阶段:第一阶段:《计算机体系结构》课程   分成4篇:分别是
发表于 01-20 00:00 ? 1414次 阅读
《嵌入式技术ARM裸机开发》之存储器

DSP设计与应用教程之汇编程序设计举例的资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是DSP设计与应用教程之汇编程序设计举例的资料说明。
发表于 04-26 15:48 ? 3次 阅读
DSP设计与应用教程之汇编程序设计举例的资料说明

DSP设计与应用教程之TMS320C54XDSP指令系统的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是DSP设计与应用教程之TMS320C54XDSP指令系统的详细资料说明。
发表于 04-26 15:48 ? 6次 阅读
DSP设计与应用教程之TMS320C54XDSP指令系统的详细资料说明

EZ I2C无法正常工作

你好, 我尝试用EZ I2C从组件上的cy8c3666在我的项目模拟I2C EEPROM。然而,它不起作用。 我看到的症状,做一个起...
发表于 04-26 14:15 ? 12次 阅读
EZ I2C无法正常工作

单片机的一些经典习题和答案资料合集免费下载

1. 第一台电子数字计算机发明的年代和名称。 1946 年、ENIAC。 2. 根据冯·诺依曼提....
发表于 04-26 08:00 ? 22次 阅读
单片机的一些经典习题和答案资料合集免费下载

25AA640和25LC640及25C640 SPI总线串行EEPROM数据手册免费下载

Microchip Technology Inc.25AA640/25LC640/25C640(25....
发表于 04-26 08:00 ? 8次 阅读
25AA640和25LC640及25C640 SPI总线串行EEPROM数据手册免费下载

LE25CB5122M串行SPI EEPROM的数据手册免费下载

LE25CB5122M是一款支持串行外围接口(SPI)的512kbit EEPROM,它结合了三洋高....
发表于 04-26 08:00 ? 5次 阅读
LE25CB5122M串行SPI EEPROM的数据手册免费下载

51单片机学习教程之点亮LED的详细资料总结免费下载

51系列单片机包括许多类型,它们的内部结构基本相同。89C51/89C52是目前应用比较广泛的51系....
发表于 04-25 17:13 ? 19次 阅读
51单片机学习教程之点亮LED的详细资料总结免费下载

51单片机学习教程之LED灯光控制器的设计资料说明

程序设计完成后写到存储器中,在单片机运行时程序只需从存储器中读取出来运行。用来存放程序的存储器,我们....
发表于 04-25 17:13 ? 11次 阅读
51单片机学习教程之LED灯光控制器的设计资料说明

一款完全基于赛灵思FPGA技术的高性能单芯片解决方案

仅仅两周后,随着三星推出其基于赛灵思技术的 SmartSSD,这一势头继续发展。SmartSSD 直....
的头像 FPGA开发圈 发表于 04-25 11:31 ? 255次 阅读
一款完全基于赛灵思FPGA技术的高性能单芯片解决方案

数字集成电路基本单元与版图教程的资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是数字集成电路基本单元与版图教程的资料说明主要内容包括了:1 TTL基本....
发表于 04-24 16:07 ? 25次 阅读
数字集成电路基本单元与版图教程的资料说明

如何对51单片机进行ROM扩展

图中P0口输出外部ROM的低8位地址信号,P2口输出高8位地址信号;ALE端输出地址锁存信号,/PS....
发表于 04-24 15:57 ? 39次 阅读
如何对51单片机进行ROM扩展

全球半导体业在连续高涨两年之后开始回调

多年来全球存储器业没有一家新进者,见到的是德国奇梦达倒闭,及日本尔必达被美光兼并,反映全球存储器业垄....
的头像 DIGITIMES 发表于 04-24 11:41 ? 493次 阅读
全球半导体业在连续高涨两年之后开始回调

请问STC89C52数据手册上EEPROM的2K+是什么意思

请问STC89C52数据手册上EEPROM的2K+是什么意思啊 8个扇区512个字节的话不是4K吗...
发表于 04-24 00:17 ? 97次 阅读
请问STC89C52数据手册上EEPROM的2K+是什么意思

微控制器的定义以及微控制器在一个产品设计中的主要用途

数字信号处理器(或“DSP”)是一种微处理器,它针对要求苛刻的计算任务进行了优化,例如数字滤波,实时....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-23 16:57 ? 306次 阅读
微控制器的定义以及微控制器在一个产品设计中的主要用途

同样是半导体领域,凭什么韩国可以活得精彩?

到了60年代,日本的小心思就起来了,既然大家都是挣钱,那为什么我不是最大的那一个。于是,那一年,日本....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-23 16:52 ? 1032次 阅读
同样是半导体领域,凭什么韩国可以活得精彩?

DSP设计与应用教程之TMS320C54XDSP寻址方式的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是DSP设计与应用教程之TMS320C54XDSP寻址方式的详细资料说明包....
发表于 04-23 16:15 ? 27次 阅读
DSP设计与应用教程之TMS320C54XDSP寻址方式的详细资料说明

如何使用最后一个值启动DAC?

目标是让DAC在最后一个功率水平开始,在它被关掉之前设置。 查看API,我想我可以用DVAC8SaveCo()保存DAC的配置...
发表于 04-23 13:31 ? 118次 阅读
如何使用最后一个值启动DAC?

CY3686开发板帮助

尊敬的先生/女士, 我最近购买了NX2LP Flex开发板(它附带了一个单独的CY364板与FX2LP芯片的开发目的),并有问题的...
发表于 04-23 11:14 ? 106次 阅读
CY3686开发板帮助

ARM汇编语言的详细资料介绍

在本文中,我们学习汇编语言,这是一种表达计算机应该执行的个别指令的系统。
发表于 04-23 08:00 ? 25次 阅读
ARM汇编语言的详细资料介绍

AT24C32和AT24C64及DS3231的数据手册和驱动程序及电路图免费下载

AT24C32/64提供了32768/65536位串行电可擦除和可编程只读存储器(EEPROM),按....
发表于 04-23 08:00 ? 44次 阅读
AT24C32和AT24C64及DS3231的数据手册和驱动程序及电路图免费下载

每个板子全新的设计都要控制在最多3次打板就彻底搞定

遇到性能方面的问题,比如时钟、电源、串扰等,一定要找到问题的本源,而不是头疼医头、脚疼医脚,以为找到....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-22 17:14 ? 331次 阅读
每个板子全新的设计都要控制在最多3次打板就彻底搞定

IC设计基础教程之数字集成电路基本单元与版图的详细资料概述

本文档的主要内容详细介绍的是IC设计基础教程之数字集成电路基本单元与版图的详细资料概述包括了:1 T....
发表于 04-22 16:48 ? 35次 阅读
IC设计基础教程之数字集成电路基本单元与版图的详细资料概述

机器人视觉系统系统基本组成:CCD、PCI、PC及其外设等

二维卷积的运算常用于图像平滑、尖锐化、轮廓增强、空间滤波、标准模板匹配计算等。若用M×M卷积核矩阵对....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-22 16:42 ? 383次 阅读
机器人视觉系统系统基本组成:CCD、PCI、PC及其外设等

如何在宇宙编译器上使用eeprom

任何人都知道如何在宇宙编译器上使用@eeprom 是否支持@eeprom vu32 EE_Total; 以上通过了编译器,但如果我尝试使...
发表于 04-22 15:19 ? 24次 阅读
如何在宇宙编译器上使用eeprom

MP3 WAV高品质音频解码控制板MP530的用户手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是MP3 WAV高品质音频解码控制板MP530的用户手册免费下载。
发表于 04-22 08:00 ? 26次 阅读
MP3 WAV高品质音频解码控制板MP530的用户手册免费下载

什么是半导体存储器

半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制,使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 与磁盘和光盘装置等相比,具有 ...
发表于 04-21 22:57 ? 21次 阅读
什么是半导体存储器

基于ARM9的智能充电桩——Day1

一、硬件设备     Exynos 4412是一款32位RISC(精简计算机指令集)、降价比高、功耗低、性能优化,基于Coret...
发表于 04-20 18:18 ? 485次 阅读
基于ARM9的智能充电桩——Day1

三星电子拒绝确认是否有亚马逊索赔一事

业界人士虽不愿透露具体瑕疵规模,但表示:”亚马逊向SK海力士要求了能取代三星电子DRAM的数量,但订....
的头像 芯论 发表于 04-19 18:17 ? 1935次 阅读
三星电子拒绝确认是否有亚马逊索赔一事

上交所披露了第五批科创板申报企业名单,两家半导体公司位列其中

根据赛迪顾问统计数据,2018年公司为全球排名第三的EEPROM产品供应商,占全球约8.17%市场份....
的头像 ssdfans 发表于 04-19 17:34 ? 2456次 阅读
上交所披露了第五批科创板申报企业名单,两家半导体公司位列其中

Realview MDK和Realview DS到底有什么区别

Realview MDK主要用于嵌入式应用程序的开发,它的设备数据库中有很多厂商的芯片,例如AT91....
发表于 04-19 17:02 ? 47次 阅读
Realview MDK和Realview DS到底有什么区别

为所有离职的谷歌工程师写的一份“厂外”生存指南

如果想要更快的数据处理速度,还有Apache Spark供你选择。相对于Hadoop的MapRedu....
的头像 中国人工智能学会 发表于 04-19 16:30 ? 347次 阅读
为所有离职的谷歌工程师写的一份“厂外”生存指南

三星电子发布了2019年第一季度的财报,业绩远低于市场预期

苹果是三星显示面板业务的大客户,但由于苹果在中国市场的销量急剧下滑,致使三星也受到了牵连。据苹果此前....
的头像 半导体观察IC 发表于 04-19 16:24 ? 2098次 阅读
三星电子发布了2019年第一季度的财报,业绩远低于市场预期

中国、欧盟启动新一轮的反垄断审查,存储三巨头将面临全球反垄断制裁

欧盟委员会将于近期启动对三星、海力士、美光的反垄断调查。
的头像 芯论 发表于 04-19 15:40 ? 417次 阅读
中国、欧盟启动新一轮的反垄断审查,存储三巨头将面临全球反垄断制裁

具有滤波器和存储器的10-Megasample-per-Second模数转换器:Keysight

This Product Note is a reprint of the October 1993 Hewlett-Packard Journal article on the Keysight E1430A....
发表于 04-19 12:01 ? 29次 阅读
具有滤波器和存储器的10-Megasample-per-Second模数转换器:Keysight

STK14CA8-N25I内存中断

我有一个表存储在STK14CA8N25VSRAM的一部分中。该表在产品寿命开始时首次在生产线上存储。该表不应该在单元生命周期中...
发表于 04-19 09:12 ? 190次 阅读
STK14CA8-N25I内存中断

RK3328硬件参考设计资料合集免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是RK3328硬件参考设计资料合集免费下载包括了:RK3328硬件设计指南....
发表于 04-19 08:00 ? 32次 阅读
RK3328硬件参考设计资料合集免费下载

LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

信息 LE2416RLBXA是一个2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该设备与I C内存协议兼容;因此,它最适合需要小规??芍匦捶且资圆问娲⑵鞯挠τ?。 单电源电压:1.7V至3.6V(读?。?擦除/写入周期: 10 循环(页面写入) 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40到+ 85°C 接口:双线串行接口(I C总线) 工作时钟频率:400kHz 低功耗: 待机:2μA(最大) 有效(读?。?.5mA(最大) 自动页面写入模式:16字节 读取模式:顺序读取和随机读取 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性...
发表于 04-18 20:23 ? 0次 阅读
LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...
发表于 04-18 20:08 ? 16次 阅读
TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 04-18 20:05 ? 8次 阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) ?;すδ?,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
发表于 04-18 20:05 ? 10次 阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断?;?。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
发表于 04-18 20:05 ? 6次 阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 ? 10次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I2C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I2C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 ? 0次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I2C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 ? 0次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 ? 0次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 ? 0次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写?;すδ?上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 ? 0次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写?;すδ?上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 ? 0次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写?;?数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值?;镜髡J骄褪窃谟伪晡簧柚?RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 ? 16次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写?;?数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值?;镜髡J骄褪窃谟伪晡簧柚?RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 ? 24次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写?;?电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI?-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 ? 36次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 μs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写?;?游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和??啬芰?。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可?;E...
发表于 04-18 19:28 ? 16次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件?;?低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写?;?- ?;? / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写?;さ母郊颖晔兑?..
发表于 04-18 19:13 ? 18次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写?;さ母郊颖晔兑常ㄐ虏罚?自定时写周期 硬件和软件?;? 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写?;? / li> - ?;? / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 ? 20次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┢粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件?;?块写?;? - ?;? / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 ? 22次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件?;?块写?;?- ?;? / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 ? 22次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

什么是单片机?单片机有什么样的作用和基础知识说明

1.什么是单片机?原名单板机,一片集成电路芯片上集成微处理器,存储器,I/O接口电路,从而构成了单芯....
发表于 04-18 17:27 ? 38次 阅读
什么是单片机?单片机有什么样的作用和基础知识说明

存储巨头退出的百亿美元市场,东芯半导体抢滩发力

在中国大力发展存储芯片的半导体产业环境下,可能很多人不知道,东芯半导体是目前国内唯一可以同时提供NA....
的头像 芯链 发表于 04-18 16:13 ? 2718次 阅读
存储巨头退出的百亿美元市场,东芯半导体抢滩发力

为了结构化程序设计,STEP 7将用户程序分类归并为不同的块

局部数据分为参数和局部变量两大类,局部变量又包括静态变量和临时变量(暂态变量)两种。参数是在调用块和....
的头像 工控资料窝 发表于 04-18 10:06 ? 239次 阅读
为了结构化程序设计,STEP 7将用户程序分类归并为不同的块

STM32F103XX系列中文数据手册免费下载

本文给出了STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增强型的订购信息和器....
发表于 04-18 08:00 ? 69次 阅读
STM32F103XX系列中文数据手册免费下载

PIC24EP512GU810无法分配超过28K的数据存储器

大家好,我对我的项目中的数据内存有一些问题。我做了一篇关于这个的文章(//www. McCys.com /论坛/ M96803.ASPX),...
发表于 04-18 06:52 ? 41次 阅读
PIC24EP512GU810无法分配超过28K的数据存储器

STM32单片机位带操作的使用资料总结

51单片机估计都用过,可以单独对P1口的第一个IO进行操作,然而STM32是不允许这样做的,为了像5....
发表于 04-17 17:28 ? 51次 阅读
STM32单片机位带操作的使用资料总结

如何区分RISC和CISC指令集的详细资料说明

随着CPU设计的发 展,pipeline的增加,指令和数据的互斥读取很影响CPU指令执行的scale....
发表于 04-17 17:27 ? 26次 阅读
如何区分RISC和CISC指令集的详细资料说明

全球10大Fabless公司最新排名:华为海思离亚洲老大只差一步

据IHS Markit报道,最近对市场状况的担忧加上平均销售价格急剧下滑,将导致DRAM市场在201....
的头像 中关村集成电路设计园 发表于 04-16 13:53 ? 631次 阅读
全球10大Fabless公司最新排名:华为海思离亚洲老大只差一步

51单片机RAM数据存储区学习笔记的详细资料说明

RAM是程序运行中存放随机变量的数据空间。在keil中编写程序,如果当前模式为small模式,如果总....
发表于 04-15 18:24 ? 31次 阅读
51单片机RAM数据存储区学习笔记的详细资料说明

51单片机基础原理教程之伪指令的详细资料说明

每一条指令语句在源程序汇编时都要产生可供计算机执行的指令代码(即目标代码),所以这种语句又叫可执行语....
发表于 04-12 18:26 ? 38次 阅读
51单片机基础原理教程之伪指令的详细资料说明

基于AWorks LED灯点亮的简单例程

AWorks是ZLG历时12年开发的下一代嵌入式开发平台,支持组件“可插拔、可替换、可配置”,用户只....
的头像 ZLG致远电子 发表于 04-12 15:40 ? 315次 阅读
基于AWorks LED灯点亮的简单例程

Linux DMA内置设备驱动程序的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是Linux DMA内置设备驱动程序的详细资料说明主要内容包括; 1.议程....
发表于 04-12 08:00 ? 46次 阅读
Linux DMA内置设备驱动程序的详细资料说明

FX3和CX3 M25P40存储器读写程序资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是FX3和CX3 M25P40存储器读写程序资料免费下载。
发表于 04-11 18:29 ? 35次 阅读
FX3和CX3 M25P40存储器读写程序资料免费下载

轻松理解C语言指针的实验和详细资料说明

我并不打算使用过于官方、正统的语言来讲解指针。因为如果我这样做,就失去了做这个教程的意义。如果需要,....
发表于 04-11 16:08 ? 48次 阅读
轻松理解C语言指针的实验和详细资料说明

CPU Cache Line伪共享问题的总结和分析

随着多核架构的普及,对称多处理器 (SMP) 系统成为主流。例如,一个物理 CPU 可以存在多个物理....
的头像 Linuxer 发表于 04-10 16:58 ? 365次 阅读
CPU Cache Line伪共享问题的总结和分析

高频PCB板布线的技巧,什么是SPICE模型?

片外程序存储器和数据存储器应尽量靠近DSP芯片放置, 同时要合理布局, 使数据线和地址线长短基本保持....
的头像 EDA365 发表于 04-10 16:51 ? 426次 阅读
高频PCB板布线的技巧,什么是SPICE模型?

深度解析模拟IC产业现状及国产可替代性!

电源管理:芯片、元器件、电路系统所需正常工作电压不同,模拟IC可将电 池、电源提供的固定电压进行升降....
的头像 EDA365 发表于 04-10 16:01 ? 1123次 阅读
深度解析模拟IC产业现状及国产可替代性!

超详细单片机学习汇总资料,STM32大神笔记

注意表中的分配方向,从顶到底。每一项对应一个内存块。里面的数值代表了内存池的状态:如果为0,表示该内....
的头像 电子发烧友网 发表于 04-10 10:52 ? 418次 阅读
超详细单片机学习汇总资料,STM32大神笔记

STM32系列微控制器的中文参考手册资料免费下载

本手册是STM32微控制器产品的技术参考手册参照2009年12月 RM0008 Reference ....
发表于 04-10 08:00 ? 71次 阅读
STM32系列微控制器的中文参考手册资料免费下载

STM32F405xx和STM32F407xx系列微处理器的数据手册免费下载

STM32F405XX和STM32F407XX系列基于高性能ARM?Cortex?-M4 32位RI....
发表于 04-10 08:00 ? 58次 阅读
STM32F405xx和STM32F407xx系列微处理器的数据手册免费下载

AT89C51带4K字节闪存的8位微控制器的数据手册免费下载

AT89C51是一款低功耗、高性能的CMOS 8位微型计算机,具有4K字节的闪存可编程和可擦除只读存....
发表于 04-08 08:00 ? 106次 阅读
AT89C51带4K字节闪存的8位微控制器的数据手册免费下载

STM32H743XI 32位ARM处理器的数据手册免费下载

STM32H743XI设备基于高性能ARM?Cortex?-M7 32位RISC核心,工作频率高达4....
发表于 04-08 08:00 ? 72次 阅读
STM32H743XI 32位ARM处理器的数据手册免费下载

如何进行PLC字符与数据之间转换的详细资料概述

学习PLC编程过程中不可避免会接触到数据运算、比较等操作,当两个操作数类型不同时就需要进行转换,所以....
的头像 工控云学堂 发表于 04-03 10:59 ? 126次 阅读
如何进行PLC字符与数据之间转换的详细资料概述
  • 植树、采茶、挖野菜…… 这才是春天正确的打开方式 2019-04-18
  • 中美GDP的争夺战决定炒房也无人去管。房子用来住的,不是用来炒的根本无人落实。 2019-04-18
  • 【访民情 惠民生 聚民心】果勒买里村丰收忙 2019-04-14
  • 2018中国双一流大学专业排行榜发布 清华大学位列第一 2019-04-10
  • 一语惊坛(5月23日):中华复兴靠实干,干部有作为必须腰杆硬。 2019-04-07
  • 不撞南墙不回头。痛定思痛。动辄把独立自主、自力更生,说成是崩溃边缘,是多么轻率、可笑。 2019-03-29
  • 多国开发“冰上丝路”,北极将成黄金水道? 2019-03-29
  • 是什么时候颠覆了“文艺应当为千千万万劳动人民服务”这一社会主义文艺路线的?!那一股“伤痕潮”功不可灭,可惜的是“旧伤痕”已经烟灭,取代其的是“挖根潮”。留给工农 2019-03-26
  • 陈理、郭如才谈《习近平关于全面从严治党论述摘编》 2019-03-21
  • 北京大学党委常委、党委副书记、医学部党委书记刘玉村作健康知识专题报告 2019-03-21
  • 我早就说过,任何时候都不能对美国抱有幻想。否则就是白痴。 2019-03-20
  • 西班牙vs阿根廷6比1狂胜 梅西因伤作壁上观愤然离场 2019-03-20
  • 池莉:她构建了一座叫“生活”的城 2018-12-13
  • GreatNews The Intelligent RSS Reader 2018-12-13
  • 298| 749| 594| 703| 913| 689| 76| 212| 521| 989|